Лабораторія тунельної та електронної мікроскопії
Науково-дослідний комплекс скануючої тунельної та растрової електронної мікроскопії для наноструктурних досліджень є унікальним, несерійним об’єктом, і становить національне надбання України.
Обладнання комплексу наноструктурних досліджень було виготовлено у 1996 році вітчизняними виробниками:
- Науково-виробниче об’єднання “СЕЛМІ (м. Суми) розробило та виготовило електронну растрову частину установки, що складається з растрового електронного мікроскопу РЕМ-103, , відео-контрольного пристрою, вакуумного устаткування, високовольтного обладнання і обчислюваних засобів керування роботою комплексу, що налічують дві ЕОМ з периферійним обладнанням – струменевим та лазерним принтерами.
- Науково-виробниче об’єднання “Харпром” (м. Харків) розробило та виготовило скануючий тунельний мікроскоп СТМ-100П.
За допомогою науково-дослідного комплексу скануючої тунельної та растрової електронної мікроскопії для наноструктурних досліджень проводяться роботи по дослідженню властивостей сучасних нанокомпозитних феромагнітних систем, та особливості їх взаємодії з електричними та магнітними полями.
Дослідження проводяться у вакуумі камери електронного мікроскопу РЕМ-103 усуваючи негативний вплив атмосфери і дозволяє вибрати місце на зразку для сканування тунельним мікроскопом СТМ-100П. У дослідженнях беруть участь студенти і науковці Національного технічного університету України ”Київський політехнічний інститут”.
Скануюча зондова мікроскопія (СЗМ) – один з потужних сучасних методів дослідження морфології та локальних властивостей поверхні твердого тіла з високим просторовим розділенням. На сьогоднішній день практично жодне дослідження у галузі фізики поверхні та тонкоплівкових технологій не обходиться без викорстання методів СЗМ. Розвиток скануючої зондової мікроскопії послужив основою для розвитку нових методів в нанотехнології – технології створення структур с нанометровими масштабами.
Скануюча тунельна мікроскопія (СТМ) – один із різновидів СЗМ – ефективний спосіб дослідження поверхні з просторовим розділенням включно до атомарного. Даний метод застосовується для візуалізації атомарної структури поверхні низки матеріалів, зокрема піролітичного графіту, реконструйованої поверхні кремнія, а також таких напрямків науки як нанофізика, фізика магнітних матеріалів, мікробіологія.
Галузі застосування та об'єкти аналізу:
- Фізика та матеріалознавство (дослідження топографії поверхонь твердих тіл, дослідження молекулярно-масштабних властивостей матеріалів);
- Машинобудування: (дослідження рівня пошкодження поверхні матеріалів під час експлуатації машин та обладнання, що допомагає покращити якість та тривалість їх роботи, а також знизити витрати на їхнє обслуговування);
- Медицина і біологія (дослідження розподілу складових елементів в структурі біологічних тканин та синтезованих об’єктів);
- Мікроелектроніка (дослідження інтегральних мікросхем, напівпровідникових приладів, тонких плівок і т.п.);
- Дефектоскопія (дослідження розподілу та характеру дефектів, що є важливим для вивчення властивостей матеріалів та покращення якості виробів в промисловості);
- Геологія (дослідження поверхонь та зрізів мінералів, що дозволяє вивчати їх властивості та використовувати для розробки нових матеріалів);
- Хімія (дослідження структури твердих та рідких сполук)
